الکتروتکنیک و مهندسی برق

بررسی ها نشان می دهد که با افزایش فرکانس می توان عملکرد سیستمهای با اینورترهای PWM را بهبود بخشید. ولی به هر حال این افزایش فرکانس باعث افزایش تلفات سوئیچینگ، سوئیچ استرس و بیشتر از همه تداخلات الکترومغناطیسی (EMI) می گردد. طراحی مدرن سیستمهای الکتریکی نیازمند آن است که این سیستمها با محیط الکترومغناطیسی اطراف خود که شامل منابع تابش الکترومغناطیسی یا نویز می باشد، سازگار باشند. طراحی باید به گونه ای باشد که این اغتشاشات در خود سیستم کمتر تولید شده کمترین صدمه را به عملکرد سیستم وارد آورد.

بکار گیری توپولوژیهای مبدلها با تکنیک کلید زنی سخت باعث تلفات کلید زنی بالا، تداخل الکترو­مغناطیسی و پایین آوردن راندمان مبدل میشود.کلید زنی که در آن ولتاژ منبع تغذیه به طور کامل در هنگام سوییچ هر فاز بر روی (ترانزیستورها و تریستورها) قرار گیرد را کلید زنی سخت می نامند.در این روش تلفات قابل ملاحظه ای بر روی کلیدها ایجاد شده که در پایین آوردن راندمان مبدل بسیار موثر میباشد.اگر کلید زنی هنگامی انجام شود که در آن ولتاژ یا جریان در حد صفر قرار داشته باشد در این صورت تلفات بر روی کلیدها از بین میرود و این کلید زنی را کلید زنی نرم تعریف میکنیم. در این مبدلها با استفاده از عناصر دیگر سبب ایجاد تشدید هنگام کلید زنی در مدار شده و باعث تقلیل جریان در حد صفر میگردند. در دهه  اخیر تحقیقات زیادی برای حل مشکلات تلفات کلید زنی،  EMI و ولتاژ مد مشترک بصورت جداگانه شده است. در بین آنها اینورترهای با لینک DC رزونانسی بطور وسیع در درایو موتورهای القایی استفاده گردیده که با وجود سادگی دارای ولتاژ بالایی در لینک فرکانسی (بیش از  دو برابر ولتاژ تغذیه) می باشد.